- 朱琪;黄登华;
提出一种有效提升大电流输出应用的低压差线性稳压器(LDO)环路稳定性的技术,采用负载追踪补偿方式消除电路输出端与负载相关的极点对环路稳定性的影响,且在维持环路低频增益不变的前提下降低高频下环路中节点阻抗,从而达到同时提升输出精度和优化瞬态响应性能的目的。采用TSMC 0.18μm BCD工艺进行仿真验证,结果表明电路最大输出电流6 A,在6 A/6μs的负载突变情况下输出电压下冲为36.6 mV,过冲为35.3 mV,稳定时间小于56.3μs。全负载电流范围内,瞬态性能大幅提升。
2024年03期 v.50;No.549 26-30页 [查看摘要][在线阅读][下载 1744K] [下载次数:0 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ] - 苏成;夏宏;
在SM9加密等算法中经常使用大数乘法,为了解决大数乘法中关键电路延迟过高、能耗过大的问题,设计了一种基于流水线的可重构1 024位乘法器。使用64位乘法单元和128位先行进位加法单元,分20个周期流水产生最终结果,缓解了传统乘法器中加法部分的延时,实现电路复用,有效减小能耗。在SMIC 0.18μm工艺库下,关键电路延迟2.5 ns,电路面积7.03 mm~2,能耗576 mW。
2024年03期 v.50;No.549 31-35页 [查看摘要][在线阅读][下载 2017K] [下载次数:0 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ] - 杨楚玮;张梅娟;沈庆;
存储系统小型化、高性能需求与日俱增,为此设计了一款基于SiP技术的固态硬盘电路,用于验证存储系统SiP电路的可行性。该SiP电路内部以SSD控制模块为核心处理单元,集成了用于数据存储的NAND颗粒、用于固件存储的SPI Flash以及电源管理等元器件。在搭建的软硬件平台上进行底层ATA指令验证以及与传统分离式存储系统的对比性能测试,证明了应用SiP技术的存储系统具备高性能、小型化、低功耗等诸多优势,为后续SiP存储系统的设计和验证奠定了一定的技术基础。
2024年03期 v.50;No.549 36-41页 [查看摘要][在线阅读][下载 2133K] [下载次数:0 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ] - 焦新泉;朱振麟;
Flash阵列在当今数据存储领域占据着重要地位,提高Flash阵列可靠性的关键在于提出合理的坏块管理方法。针对固有坏块,提出基于整合块的坏块管理方法和基于EEPROM查找表的坏块管理方法。对于在使用过程中出现的突发坏块,提出基于页跳过和页替换的突发坏块管理方法。经过实验分析表明坏块管理方法提高了NAND Flash数据存储的可靠性,在保证存储速度的情况下对NAND Flash存储空间得到最大化利用。
2024年03期 v.50;No.549 42-47页 [查看摘要][在线阅读][下载 1847K] [下载次数:0 ] |[网刊下载次数:0 ] |[引用频次:0 ] |[阅读次数:0 ]